IGBT模塊FZ1000R33HL3
點擊次數：546 更新時間：2023-11-17
IGBT模塊FZ1000R33HL3
IGBT模塊FZ1000R33HE3
IGBT模塊FZ1200R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HL3
IGBT模塊FZ1600R33HE4
IGBT模塊FZ1400R33HE4
IGBT模塊FZ2400R33HE4
IGBT模塊FF450R33T3E3
IGBT模塊FZ825R33HE4D
品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊，最大規格1mΩ
新品
采用 1200V SiC M1H芯片的
62mm半橋模塊，最大規格1mΩ
1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半橋模塊現已上市。由于采用了 M1H芯片技術，模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移和栅極驅動電壓窗口方面性能得到了改善。這些模塊還提供預塗導熱界面材料（TIM）版本。
相關産品：
1，2，6mΩ，1200V 62mm半橋模塊
産品特點
集成體二極管，優化了熱阻
最高的防潮性能
栅極氧化層可靠性
抗宇宙射線能力強
符合RoHS标準要求
應用價值
按照應用苛刻條件優化
更低的電壓過沖
導通損耗最小
高速開關，損耗極低
對稱模塊設計實現對稱的上下橋臂開關行為
标準模塊封裝技術确保可靠性
62毫米高産量生産線上生産
競争優勢
通過碳化矽擴展成熟的62毫米封裝的産品，以滿足快速開關要求和低損耗的應用。
電流密度最高，防潮性能強
應用領域
儲能系統
電動汽車充電
光伏逆變器
UPS
