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IGBT模塊FZ1000R33HL3
點擊次數:790 更新時間:2023-11-17

IGBT模塊FZ1000R33HL3

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IGBT模塊FZ1400R33HE4

IGBT模塊FZ2400R33HE4

IGBT模塊FF450R33T3E3

IGBT模塊FZ825R33HE4D


品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊,最大規格1mΩ

英飛淩工業半導體 2023-11-10 08:01 

新品

采用 1200V SiC M1H芯片的

62mm半橋模塊,最大規格1mΩ

圖片


1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半橋模塊現已上市。由于采用了 M1H芯片技術,模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移和栅極驅動電壓窗口方面性能得到了改善。這些模塊還提供預塗導熱界面材料(TIM)版本。


相關産品:

  • 1,2,6mΩ,1200V 62mm半橋模塊

圖片


産品特點

集成體二極管,優化了熱阻

最高的防潮性能

栅極氧化層可靠性

抗宇宙射線能力強

符合RoHS标準要求


應用價值

按照應用苛刻條件優化

更低的電壓過沖

導通損耗最小

高速開關,損耗極低

對稱模塊設計實現對稱的上下橋臂開關行為

标準模塊封裝技術确保可靠性

62毫米高産量生産線上生産


競争優勢

通過碳化矽擴展成熟的62毫米封裝的産品,以滿足快速開關要求和低損耗的應用。

電流密度最高,防潮性能強


應用領域


儲能系統

電動汽車充電

光伏逆變器

UPS



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