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東芝二極管IGBT模塊
東芝二極管IGBT模塊900GXHGZ41；鐵路機車IGBT模塊，TOSHIBA東芝高壓二極管IGBT模塊900GXHGZ41；北京京誠宏泰科技有限公司專業銷售900GXHGZ41
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東芝IGBT模塊MG900GXH1US53
東芝IGBT模塊MG900GXH1US53；TOSHIBA東芝高壓IGBT模塊MG900GXH1US53；北京京誠宏泰科技有限公司專業銷售MG900GXH1US53
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TOSHIBA東芝IGBT模塊MG75Q2YS50
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣栅雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣栅型場效應管）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小
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TOSHIBA東芝IGBT模塊MG200Q2YS40
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣栅雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣栅型場效應管）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小
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東芝IGBT模塊MG50Q2YS40
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣栅雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣栅型場效應管）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小
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