富士IGBT-PIM模塊

富士IGBT-PIM模塊，絕緣栅雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣栅型場效應管）富士IGBT-PIM模塊組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小