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英飛淩IGBT模塊FZ2400R17KF6C_B2_S1

英飛淩IGBT模塊FZ2400R17KF6C_B2_S1

型    号: FZ3600R17HE4P
報    價: 18888
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英飛淩IGBT模塊FZ2400R17KF6C_B2_S1
北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊;可控矽模塊;晶閘管;二極管模塊;整流橋模塊;PLC模塊;電容;變頻器備件
1700V IGBT英飛淩FZ2400R17KF6C_B2_S1

詳細資料:

英飛淩IGBT模塊FZ2400R17KF6C_B2_S1

北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛淩IGBT模塊;可控矽模塊;整流橋模塊;二極管模塊;晶閘管;IPM模塊;半導體功率模塊;變頻器配件

西門子變頻器IGBT模塊FZ2400R17KF6C_B2_S1

産品參數:

IHM B 1700 V 2400A 190 mm 單開關 IGBT 模塊,配有第四代 溝槽栅/場終止 IGBT,是您的工業應用的理想解決方案。

IHV B 3300 V 1000 A 130 mm 單開關 IGBT 模塊,具有第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、低開關損耗和發射極控制二極管——适用于牽引和工業應用的成熟解決方案

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如何計算IGBT器件的工作結溫Tvj?


ChatGPT是這樣說的:


要計算IGBT器件的工作結溫Tvj,需要考慮以下幾個因素:

1

IGBT芯片的功率損耗。這個值可以通過IGBT芯片廠家提供的datasheet中查到。通常來說,功率損耗越大,工作結溫就越高。

2

IGBT芯片的封裝方式。不同的封裝方式會影響散熱效率。一般來說,背面帶有散熱片的封裝方式散熱效果較好。

3

外部散熱器的散熱能力。外部散熱器的散熱能力也會影響工作結溫。散熱器的大小、材料以及通風情況都會影響散熱效果。


如果考慮了以上因素後,可以使用以下公式計算IGBT器件的工作結溫Tvj

Tvj = Ta + Pd*Rthjc


其中, Ta是環境溫度,Pd是IGBT芯片的功率損耗,Rthjc是芯片與散熱器結合部的熱阻。


需要注意的是,這個公式隻考慮了IGBT芯片本身的散熱情況,并沒有考慮整個系統的散熱能力。因此,在實際應用中,還需要結合具體的系統情況來确定IGBT器件的工作結溫。

1700V IGBT模塊型号:

FZ1800R17KF4

FZ1200R17KF6C_B2

FZ1600R17KF6C_B2

FZ2400R17KF6C_B2

FZ1200R17KF4

FZ1200R17HE4


FZ1200R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B21
FZ1800R17HP4_B29
FZ2400R17HP4_B2
FZ2400R17HP4_B28
FZ2400R17HP4_B29
FZ3600R17HP4_B2


FZ1200R17HP4
FZ1600R17HP4
FZ1800R17HP4_B9
FZ2400R17HP4
FZ2400R17HP4_B9
FZ3600R17HP4
IGBT4 Fast (IHM B)
1)
FZ1200R17HE4
FZ1800R17HE4_B9
FZ2400R17HE4_B9
FZ3600R17HE4






特征描述

  • 高直流電壓穩定性

  • 高短路能力

  • 自限制短路電流

  • 低開關損耗

  • 出色的堅固性

  • Tvj op = 150°C

  • 低 VCEsat,具有正溫度系數

  • 鋁碳化矽基闆,用于提高熱循環能力

  • 封裝的 CTI > 600

  • 絕緣基闆



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産品規格:

IGBT 類型:溝槽型場截止

配置:半橋

電壓 - 集射極擊穿:1700 V

電流 - 集電極 (Ic):2400 A

電流 - 集電極截止:100 µA

不同 Vce 時輸入電容 (Cies):122 nF @ 25 V

輸入:标準

NTC 熱敏電阻:無

工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:底座安裝

封裝/外殼:模塊

供應商器件封裝:AG-62MM

産品特征:

高功率密度

的 VCE,SAT

Tvj op = 175°C 過載

高爬電距離和電氣間隙

符合 RoHS 标準

4 kV AC 1 分鐘絕緣

CTI > 400 的封裝

通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認證

TRENCHSTOP™ IGBT7晶片

改進的EconoDUAL™ 3封裝

225、750和900A,1700V半橋模塊

的二極體,750A IGBT配1200A二極體(僅FF750R17ME7D_B11)

在過載情況下工作結溫可達到175°C

壓接式控制引腳

英飛淩IGBT模塊FZ2400R17KF6C_B2_S1

優勢:

具有高電流能力的現有封裝,允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

高功率密度

避免 IGBT 模塊并聯

通過簡化逆變器系統降低系統成本

靈活性

高的可靠性

産品應用領域:

不間斷電源(UPS)

儲能系統

電機控制和驅動

商用、建築和農用車輛 (CAV)

變頻器

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北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經銷 、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導體銷售和電力電子行業解決方案的産業鍊供應商。

銷售國内外品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊;主要經銷德國Infineon英飛淩、EUPEC優派克、

SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC,美國IR,瑞士ABB,POWERSEM,NELL尼爾;yaskawa安川;

英國西瑪,西班牙CATELEC等公司生産的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控矽晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊;日本富士(FUJI)、

日之出(HINODE)、法國羅蘭(FERRAZ)、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器;KEMET,意大利Arcotronics(AV),

Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON,法國湯姆遜TPC,日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;

紅寶石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發、英國BHC,BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容;瑞士CONCEPT IGBT驅動、光耦、變頻器主控闆、驅動闆,電源闆,通信闆,接口闆

操作面闆

英飛淩IGBT模塊FZ2400R17HE4P_B9

IGBT是什麼?

IGBT即絕緣栅雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣栅型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常适合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT與MOSFET的對比

MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分别是源極(S)、漏極(D)和栅極(G)。

優點:熱穩定性好、安全工作區大。

缺點:擊穿電壓低,工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司英飛淩IGBT模塊FZ2400R17HE4P_B9

IGBT全稱絕緣栅雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的産物。它的三個極分别是集電極(C)、發射極(E)和栅極(G)。

特點:擊穿電壓可達1200V,集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上,工作頻率可達20kHz。

IGBT的典型應用

電動機

不間斷電源

太陽能面闆安裝

電焊機

電源轉換器與反相器

電感充電器

電磁爐

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第七代IGBT型号:

FF900R12ME7P_ B11

FF450R12ME7_ B11

FF900R12ME7W_ B11

FF900R12ME7_ B11

FF600R12ME7_ B11

FF800R12KE7

FF300R12ME7_ B11

FF750R12ME7_ B11

FF750R17ME7D_ B11

FF225R17ME7_ B11

FF1800R23IE7P

FF1800R23IE7

FF2400RB12IP7P

FF2400RB12IP7


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