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三菱IPM模塊PM600DVA060
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的複合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據内部功率電路配置的不同可分為四類:H型（内部封裝一個IGBT）、D型（内部封裝兩個IGBT）、C型（内部封裝六個IGBT）和R型（内部封裝七個IGBT）。小功率的IPM使用多層環氧絕緣系統，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣
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SEMIKRON賽米控IPM模塊SKiiP2013GB172-4DL
賽米控IPM模塊SKiiP2013GB172-4DL SKiiP智能功率模塊技術的主要特征是： * IGBT芯片采用分散式的分佈,從而使得熱密度Z小 * 無銅基闆技術 * 彈簧壓接技術 * 模塊内部的橋臂單元平行分布從而得到很低的雜散電感. 這些技術特點使得SKiiP智能功率模塊系統能獲得更小的熱阻，更強的熱循環能力和負載循環能力（是普通模塊的5倍）和更小的雜散電感。
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賽米控IPM模塊SKIIP1513GB171-3DL
賽米控IPM模塊SKIIP1513GB171-3DL SKiiP智能功率模塊技術的主要特征是： * IGBT芯片采用分散式的分佈,從而使得熱密度Z小 * 無銅基闆技術 * 彈簧壓接技術 * 模塊内部的橋臂單元平行分布從而得到很低的雜散電感. 這些技術特點使得SKiiP智能功率模塊系統能獲得更小的熱阻，更強的熱循環能力和負載循環能力(是普通模塊的5倍)和更小的雜散電感。
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賽米控IPM模塊SKiiP1013GB172-2DL
MiniSKiiP IPM是應用在中功率方面的智能功率模塊。每個IPM包含一個封閉的升級版的開關概念的沒有HVIC SOI的門極驅動。門極驅動有3.3 V / 5 V / 15 V的信号輸入接口，并且含有根據外部轉軌電阻的短路電流保護裝置。集成了對所有通道的欠電壓封鎖，以及通過設定死區時間的邏輯互鎖來作為交叉導通保護。MiniSKiiP IPM适用于工業以及日常消費的應用
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三菱IPM模塊PM100RLA120
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的複合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。 IPM根據内部功率電路配置的不同可分為四類:H型（内部封裝一個IGBT）、D型（内部封裝兩個IGBT）、C型（内部封裝六個IGBT）和R型（内部封裝七個IGBT）。小功率的IPM使用多層環氧絕緣系統，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣
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PM300CLA120三菱IPM模塊
PM300CLA120三菱IPM模塊，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的複合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據内部功率電路配置的不同可分為四類:H型（内部封裝一個IGBT）、D型（内部封裝兩個IGBT）、C型（内部封裝六個IGBT）和R型（内部封裝七個IGBT）。小功率的IPM使用多層環氧絕緣系統，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣
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三菱IPM模塊PM10RHB120-2
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的複合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據内部功率電路配置的不同可分為四類:H型（内部封裝一個IGBT）、D型（内部封裝兩個IGBT）、C型（内部封裝六個IGBT）和R型（内部封裝七個IGBT）。小功率的IPM使用多層環氧絕緣系統，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。
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三菱IPM模塊PM600DJA120
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的複合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。 IPM根據内部功率電路配置的不同可分為四類:H型（内部封裝一個IGBT）、D型（内部封裝兩個IGBT）、C型（内部封裝六個IGBT）和R型（内部封裝七個IGBT）。小功率的IPM使用多層環氧絕緣系統，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣
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西門康IPM模塊SKiiP2403GB172-4DL
西門康IPM模塊SKiiP2403GB172-4DL MiniSKiiP IPM是應用在中功率方面的智能功率模塊。每個IPM包含一個封閉的升級版的開關概念的沒有HVIC SOI的門極驅動。門極驅動有3.3 V / 5 V / 15 V的信号輸入接口，并且含有根據外部轉軌電阻的短路電流保護裝置。集成了對所有通道的欠電壓
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TOSHIBA東芝IPM模塊MIG300Q2CMB1X
京誠宏泰科技 針對工業電力電子領域以FUJI ELECTRIC富士電機IGBT模塊（包括富士IPM模塊、富士PIM模塊、富士IGBT驅動IC）為核心，配合功率器件：晶閘管SCR、電力MOSFET、MOSFET模塊，電力二極管、二極管模塊、單相整流橋、叁相整流橋等。京誠宏泰科技 同時可以為客戶提供IGBT驅動方案及配套單片機MCU、DSP、高速光耦、隔離光耦、電源IC、平波用鋁電解電容
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供應賽米控Mini SKiiP-IPM模塊SKiiP32NAB12T49
MiniSKiiP IPM是應用在中功率方面的智能功率模塊。每個IPM包含一個封閉的升級版的開關概念的沒有HVIC SOI的門極驅動。門極驅動有3.3 V / 5 V / 15 V的信号輸入接口，并且含有根據外部轉軌電阻的短路電流保護裝置。集成了對所有通道的欠電壓封鎖，以及通過設定死區時間的邏輯互鎖來作為交叉導通保護。MiniSKiiP IPM适用于工業以及日常消費的應用
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三菱IPM智能功率模塊PM800HSA120
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的複合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。 IPM根據内部功率電路配置的不同可分為四類:H型(内部封裝一個IGBT)、D型(内部封裝兩個IGBT)、C型(内部封裝六個IGBT)和R型(内部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環氧絕緣系統，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。
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